Макроскопические квантовые эффекты в доменных границах одноосных ферромагнитных плёнок с сильной магнитной анизотропией

Abstract

Обозреваются квантовые эффекты (туннелирование, надбарьерное отражение, осцилляции), которые имеют место для наноразмерных элементов внутренней структуры доменных границ (вертикальные линии и точки Блоха) в ферромагнитных плёнках с сильной одноосной магнитной анизотропией. Определены условия реализации этих явлений. На основе квантовых свойств пары однополярных вертикальных блоховских линий в доменной границе полосового магнитного домена предложен новый тип ячейки памяти «бит + кубит» для перспективного запоминающего устройства с гибридной формой записи информации.

Оглядаються квантові ефекти (тунелювання, надбар’єрне відбивання, осциляції), що мають місце для нанорозмірних елементів внутрішньої структури доменних стінок (вертикальні Блохові лінії та точки) у феромагнетних плівках із сильною одновісною магнетною анізотропією. Визначено умови реалізації цих явищ. На основі квантових властивостей пари однополярних вертикальних Блохових ліній у доменній стінці смугового магнетного домену запропоновано новий тип комірки пам’яті «біт + кубіт» для перспективного запам’ятовувального пристрою з гібридною формою запису інформації.

The quantum effects (tunnelling, reflection above a barrier, oscillations) occurring for nanosize elements of the interior structure of domain walls (vertical Bloch lines and Bloch points) in the ferromagnetic films with a strong uniaxial magnetic anisotropy are reviewed. Conditions for the realization of these phenomena are determined. Based on the quantum properties of a pair of unipolar vertical Bloch lines in the domain wall of the stripe magnetic domain, a new-type memory cell ‘bit + + qubit’ is proposed for a prospective memory device with a hybrid form of the information recording.