Вплив відпалу на диспергування молібденових наноплівок, нанесених на неоксидні неметалеві матеріали

Abstract

Досліджено кінетику диспергування молібденових наноплівок завтовшки 100 нм, нанесених на підкладки з нітридокремнієвої та нітридоалюмінієвої кераміки, скловуглецю й монокристалів карбіду кремнію та відпалених у вакуумі за 1200—1600 °С протягом різного часу (2—20 хв) за кожної температури. Встановлено, що із молібденових наноплівок на неоксидних матеріалах найменш стійкою на відпал є плівка на нітриді кремнію, яка інтенсивно розпадається та починає взаємодіяти з поверхнею підкладки вже після відпалу за 1300 °С, а найбільш стійкими виявилися плівки на нітриді алюмінію. За даними досліджень побудовано кінетичні криві диспергування плівок в результаті відпалу.

Исследована кинетика диспергирования молибденовых нанопленок толщиной 100 нм, нанесенных на подложки из нитридокремниевой и нитридоалюминиевой керамик, стеклоуглерода и монокристаллов карбида кремния и отожженных в вакууме при температурах 1200—1600 °С в течение разного времени (от 2 до 20 мин) при каждой температуре. Установлено, что из молибденовых нанопленок, нанесенных на неоксидные материалы, наименее стойкой при отжиге является пленка на нитриде кремния, которая интенсивно распадается и начинает взаимодействовать с поверхностью подложки уже после отжига при 1300 °С, а наиболее стойкими оказались пленки на нитриде алюминия. По результатам исследований построены кинетические кривые диспергирования пленок в результате отжига.

The studies results of disintegration kinetics of molybdenum nanofilms 100 nm thickness deposited onto substrates surfaces which were made from silicon nitride and aluminium nitride ceramics, carbon glass and monocrystal of silicon carbide and were annealed in a vacuum at temperatures of 1200—1600 °С during different exposure times at each temperature in interval of 2—20 min are given. It has been established that from molybdenum nanofilms deposited on non-oxide materials, the film that is the least resistant during annealing is silicon nitride, which are dispersed intensively and began to interact with the substrate surface after annealing at 1300 °C, and the films onto aluminum nitride proved to be the most resistant. The kinetic curves of film dispersion as result of annealing are constructed using of investigations results.