До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉

Abstract

У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання тензоопору в інших кристалографічних напрямках, де вказаний ефект значний за величиною.

В рамках теории анизотропного рассеяния для многодолинных полупроводников n-Ge и n-Sі получены полезные для практического применения выражения, которые позволяют рассчитывать значения тензосопротивления в насыщении для кристаллографических направлений, где этот эффект незначительный, по результатам измерений тензосопротивления в других кристаллографических направлениях, где указанный эффект значительный по величине.

In the framework of the theory of anisotropic scattering, the expressions useful for the practical application are obtained for many-valley semiconductors such as n-Ge and n-Si. These relations allow us to calculate the tensoresistance in saturation for crystallographic directions, where this effect is very small, by using the measurement results of tensoresistance in other crystallographic directions, where this effect has large values.