Неравновесные колмогоровского типа распределения частиц и их приложения

Abstract

Представлено современное состояние исследований нестационарных и стационарных неравновесных (колмогоровского типа) функций распределения (НФР) частиц с потоком по спектру. На основе интегралов столкновений (ИС) Больцмана и в форме Ландау для нерелятивистских заряженных частиц (НЗЧ), взаимодействующих по закону Кулона с учетом статической экранировки, в однородной и изотропной среде аналитическими методами и с помощью полностью консервативных разностных схем рассмотрено формирование НФР частиц. Показано, как полученные результаты могут быть использованы для предсказания поведения проводников и полупроводников как с собственной, так и с примесной проводимостью, облучаемых пучками быстрых ионов или лазерным излучением.

Наведено сучасний стан досліджень нерівноважних (колмогорівського типу) стаціонарних та нестаціонарних розподілів частинок з потоком за спектром. На основі інтегралів зіткнень Больцмана та у формі Ландау для нерелятивістських заряджених частинок, що взаємодіють за законом Кулона з урахуванням статичного екранування, в однорідному та ізотропному середовищі розглянуто аналітичними методами та за допомогою повністю консервативних різницевих схем формування нерівноважних функцій розподілу частинок. Показано, як отримані результати можуть бути використані для передбачення поведінки провідників та напівпровідників як з власною, так і з домішковою провідністю, що опромінюються пучками швидких іонів або лазерним випромінюванням.

The modern condition of researches nonequilibrium (Kolmogorov type) stationary and non-stationary particle distributions with a flux on a spectrum is submitted. On the basis of Boltzmann collision integrals and in Landau form for not relativistic charged particles interacting under Coulomb law in view of static shielding, in homogeneous and isotropic matter by analytical methods and with the help completely conservative finite difference schemes consider formation of nonequilibrium particle distribution functions. It is shown, as the received results can be used for a prediction of behaviour of conductors and semiconductors both with own and with impurity conductivity irradiated with fast-ion beams or laser radiation.