Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Друзенко, Н.В.
dc.contributor.author Куц, В.І.
dc.contributor.author Мосолаб, О.В.
dc.contributor.author Ушата, Л.В.
dc.contributor.author Гришин, Ю.Г.
dc.contributor.author Тартачник, В.П.
dc.contributor.author Чирко, Л.І.
dc.contributor.author Опилат, В.Я.
dc.contributor.author Смирнов, С.Б.
dc.contributor.author Ластовецький, В.Ф.
dc.contributor.author Литовченко, П.Г.
dc.date.accessioned 2011-01-31T10:01:17Z
dc.date.available 2011-01-31T10:01:17Z
dc.date.issued 2010
dc.identifier.citation Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора / Н.В. Друзенко, В.І. Куц, О.В. Мосолаб, Л.В. Ушата, Ю.Г. Гришин, В.П. Тартачник, Л.І. Чирко, В.Я. Опилат, С.Б. Смирнов, В.Ф. Ластовецький, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 112-116. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. uk_UA
dc.identifier.issn 1562-6016
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/15664
dc.description.abstract Вивчались пробійні процеси у фосфідо-галієвих світлодіодах. Проведені оцінки величини коефіцієнта ударної іонізації у вихідних зразках. Показано, що опромінення нейтронами спричиняє збільшення зворотнього струму, обумовленого існуванням потенціального бар’єра. Значна кількість мікроплазм свідчить про суттєву неоднорідність досліджуваних p-n-переходів. uk_UA
dc.description.abstract Изучены пробойные процессы в фосфидо-галлиевых светодиодах. Проведены оценки величины коэффициента ударной ионизации в исходных образцах. Показано, что облучение нейтронами влечет за собой увеличение обратного тока, обусловленного существованием потенциального барьера. Значительное количество микроплазм свидетельствует о существенной неоднородности исследуемых p-n-переходов. uk_UA
dc.description.abstract Breakdown processes in phosphide-gallium light-emitting have been studied were studied. The coefficient of collision ionization in initial samples has been estimated. It was shown that neutron irradiation results in increase of the reverse current caused by existence of potential barrier. The significant amount of microplasmas is the manifestation of essential inhomogeneity of p-n junctions studied. uk_UA
dc.language.iso uk uk_UA
dc.publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України uk_UA
dc.subject Физика радиационных и ионно-плазменных технологий uk_UA
dc.title Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора uk_UA
dc.title.alternative Деградационные и восстановительные процессы в обратносмещенных фосфидо-галлиевых диодах, вызванные быстрыми нейтронами реактора uk_UA
dc.title.alternative Degradation and recovery processes in reverse-biased phosphidegallium diodes induced by reactor fast neutrons uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 621.315.592


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис