Синтез та електрофізичні властивості гетероструктур CuS/CdS та Ag₂S/CdS

Abstract

Синтезовано напівпровідникові гетероструктури CuS/CdS та Ag₂S/CdS на основі нановолокон CdS і досліджено їх електрофізичні властивості. Отримано температурні і частотні залежності електропровідності волокнистих гетероструктур. Показано, що електропровідність гетероструктури CuS/CdS у порівнянні з нановолоконами CdS зростає на 5 порядків при ступені заміщення іонів Cd на Cu 85% і на 4 порядки при ступені заміщення 15%.

The semiconductor heterostructures CuS/CdS and Ag₂S/CdS based on CdS nanowires where synthesized and investigated in order to assess heir electrophysical properties. The temperature and frequency dependences of the electrical conductivity of fibrous heterostructures are revealed. Was shown that conductivity of the CuS/CdS nanowires heterostructure compared with initial CdS increases in 5 orders of magnitude when the degree of substitution of Cd ions by Cu ions is 85%; and about 4 whereas the 15% of substitution is achieved.

Синтезированы полупроводниковые гетероструктуры CuS/CdS и Ag₂S/CdS на основе нановолокон CdS и исследованы их электрофизические свойства. Получены температурные и частотные зависимости электропроводности волокнистых гетероструктур. Показано, что электропроводность гетероструктуры CuS/CdS по сравнению с нановолоконами CdS увеличивается на 5 порядков при степени замещения ионов Cd на Cu 85% и на 4 порядка при степени замещения 15%.