Анализ методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных полупроводниковых аппаратах

Abstract

На основе анализа методов расчёта температуры полупроводниковой структуры силовых полупроводниковых приборов в условиях их работы в коммутационных аппаратах предложена инженерная методика расчёта этой температуры при воздействии на них кратковременных импульсов мощности произвольной формы.

На основі аналізу методів розрахунку температури напівпровідникової структури силових напівпровідникових приладів в умовах їх роботи в комутаційних апаратах була запропонована інженерна методика розрахунку цієї температури при дії на них короткочасних імпульсів потужності довільної форми.

Computing methods for calculating semiconductor structure temperature in power semiconductor devices in commutation semiconductor apparatus have been analyzed. An engineering technique for semiconductor structure temperature calculation is introduced. This technique allows calculating unsteady heat conditions of these devices under influence of short-term free-form power impulses.