Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів

Abstract

Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів n-Ge, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур. Одержані залежності концентрації та рухливості носіїв заряду від температури відпалу пояснено процесами перебудови домішкових комплексів у сильно легованих кристалах германію, вирощених методом Чохральського.

Установлены особенности изменений электрофизических параметров и микроструктуры легированных примесью мышьяка монокристаллов n-Ge, которые происходили при термоотжигах в широком интервале температур. Полученные зависимости концентрации и подвижности носителей заряда от температуры отжига объяснено процессами перестройки примесных комплексов в сильно легированных кристаллах германия, выращенных методом Чохральского.

Specific features of variations in the electrophysical parameters and microstructure of n-Ge single crystals doped with the arsenic impurity that occur during thermal annealings in a wide temperature range are established. The obtained dependences of the concentration and mobility of charge carriers on the annealing temperature are explained by the processes of restructuring of impurity complexes in the strongly doped germanium crystals grown by the Czochralski method.