Полевые магнитотранзисторы

dc.contributor.author	Викулина, Л.Ф.
dc.date.accessioned	2018-07-14T15:57:55Z
dc.date.available	2018-07-14T15:57:55Z
dc.date.issued	1998
dc.identifier.citation	Полевые магнитотранзисторы / Л.Ф. Викулина // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 1. — С. 27-28. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140702
dc.description.abstract	Описаны конструкции транзисторов с магниточувствительностью, на один-два порядка превышающей чувствительность датчика Холла из аналогичного материала.	uk_UA
dc.description.abstract	The transistors construction with magneto-sensitivity, that is on one or two orders higher than Hall generator sensitivity from the analogous material have been outlined.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Компоненты для электронной аппаратуры	uk_UA
dc.title	Полевые магнитотранзисторы	uk_UA
dc.title.alternative	Польові магнітотранзистори	uk_UA
dc.title.alternative	The magnetogate transistors	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA