Экситон из пространственно-разделённых электрона и дырки в квазинульмерных наноструктурах

Abstract

Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи основного состояния экситона из пространственно разделённых электрона и дырки (дырка движется в объёме полупроводниковой квантовой точки, а электрон локализован на внешней сферической поверхности раздела квантовая точка–диэлектрическая матрица) по сравнению с энергией связи экситона в монокристалле CdS.

Виявлено ефект істотного збільшення енергії зв’язку основного стану екситона з просторово розділеними електроном і діркою (дірка рухається в об’ємі напівпровідникової квантової точки, а електрон локалізований на зовнішній сферичній поверхні розділу квантова точка–матриця) порівняно з енергією зв’язку екситона у монокристалі CdS.

The effect of a substantial increase of the binding energy of an exciton with the spatially separated electron and hole as compared with the binding energy of an exciton within the single-crystalline CdS is found out.