Вакив, Н.М.; Круковский, С.И.; Ларкин, С.Ю.; Авксентьев, А.Ю.; Круковский, Р.С.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014)
Разработан способ формирования качественных гетерограниц в системе p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кристаллизации от 600 до 760°С. Установлено, что режим формирования ...