Relaxation properties of defect complexes in SrCI₂-TI+ crystals

Abstract

Two maxima are observed in the thermograms of of the thermostimulated depolarization currents of SrCI₂-TI+ crystals have been observed: a low-temperature one (Tm = 107 K, £m = 0.24 eV), caused by the reorientation of Tl+Va+ dipoles, and high-temperature one (Tm = 215 K, £m = 0.46 eV) related to thermal dissociation thereof. TI+Va+-dipoles possess C3V symmetry, that results in splitting of the absorption А-band (1S033 transition) into two components with maxima at 234 and 247 nm. At low-temperature irradiation (T < 140 K), TI+VD+-dipole concentration (at the stage of a crystal coloring saturation) is decreased by 15-20 % as a consequence of charge carrier capture by TI+-ions.

На термограммах токов термостимулированной деполяризации кристаллов SrCl2-TI+ наблюдаются два максимума: низкотемпературный (Тт = 107 K, Em = 0.24 эВ), обусловленный реориентацией TI+VD+ — диполей, и высокотемпературный (Tm = 215 K, Ет = 0.46 эВ), обусловленный их термо диссоциацией. TI+VD+-диполи обладают C3v — (Симметрией, что обусловливает расщепление A-полосы поглощения (переход 1s0 3311) на две компоненты с максимумами при 234 и 247 нм. При низкотемпературном облучении (Т < 140 K) концентрация TI+VD+-диполей (на стадии насыщения окрашиваемости кристалла) уменьшается на 15-20 %, что является следствием захвата носителей заряда П+-ионами.

На термограмах струмів термостимульованої деполяризації кристалiв SrCI2-TI+ спостерігаються два максимуми: низькотемпературний (Tm = 107 К, Em = 0.24 еВ), зумовлений реорієнтацією Л+У^-диполів, і високотемпературний (Tm = 215 К, Em = 0.46 еВ), зумовлений їх термо дисоціацією. TI+Va+-диполi володіють С^-симетрією, що зумовлює розщеплення A-смуги поглинання (перехід 1S0 3P1) на дві компоненти з максимумами при 234 і 247 нм. При низькотемпературному опроміненні (Т < 140 К) концентрація TI+Va+-диполiв (на стадії насичення забарвлення кристала) зменшується на 15-20 %, що є наслідком захоплення носіїв заряду TI+іїонами.