Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Voronkin, E.F.
dc.contributor.author Atroshchenko, L.V.
dc.contributor.author Galkin, S.N.
dc.contributor.author Lalayants, A.I.
dc.contributor.author Rybalka, I.A.
dc.contributor.author Ryzhikov, V.D.
dc.date.accessioned 2018-06-20T13:57:21Z
dc.date.available 2018-06-20T13:57:21Z
dc.date.issued 2004
dc.identifier.citation Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals / E.F. Voronkin, L.V. Atroshchenko, S.N. Galkin, A.I. Lalayants, I.A. Rybalka, V.D. Ryzhikov // Functional Materials. — 2004. — Т. 11, № 3. — С. 612-616. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1027-5495
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139486
dc.description.abstract Possibilities have been studied to prepare high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals of high perfection and spectrometric quality. Studies have been carried out of deep purification of Cd, Zn and Te using the installation developed by us, which comprised a rotating container of optical quartz, by distillation and recrystallization. This installation is polyfunctional, allowing distillation, zone purification, recrystallization in horizontal (at a small angle) or vertical direction. It has been shown that horizontal zone purification is efficient for most admixtures, with exception of carbon. For carbon removal from Cd, Zn and Te, a vertical variant of zone purification was additionally used, which allowed reduction in carbon content from 10⁻³ to -10⁻⁶ %. uk_UA
dc.description.abstract Работа посвящена исследованию возможности получения высокочистой шихты для выращивания кристаллов Cd₁₋ₓ ZnₓTe высокого структурного совершенства и спектрометрического качества. Приведены результаты изучения процессов глубокой очистки Cd, Zn и Te при использовании разработанной нами установки с вращающимся контейнером из оптического кварца путем их дистилляции и перекристаллизации. Эта установка является многофункциональной и позволяет проводить дистилляцию, зонную очистку, перекристаллизацию как в горизонтальном (под небольшим углом), так и в вертикальном направлениях. Показано, что горизонтальная зонная очистка является эффективной для большинства примесей, за исключением углерода. Для очистки Cd, Zn и Te от примеси углерода дополнительно использован вертикальный вариант зонной очистки, который позволил снизить содержание углерода с с 10⁻³ до -10⁻⁶ % uk_UA
dc.description.abstract Робота присвячена досліджєнню можливості одержання шихти високої чистоти для вирощування структурно досконалих кристалів Cd₁₋ₓ ZnₓTe спектрометричної якості. Приведено результати вивчення процесів глибокого очищення Cd, Zn та Te при використанні розробленої нами установки з обертовим контейнером із оптичного кварцу шляхом їх дистиляції і перекристалізації. Ця установка є багатофункціональною і дозволяє проводити дистиляцію, зонну очистку, перекристалізацію як у горизонтальному (під невеликим кутом), так і у вертикальному напрямках. Показано, що горизонтальна зонна очистка є ефективною для більшості домішок, за винятком вуглецю. Для очищення Cd, Zn та Te від домішки вуглецю додатково використаний вертикальний варіант зонної очистки, що дозволив знизити вміст вуглецю з 10⁻³ до -10⁻⁶ %. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Functional Materials
dc.title Preparation of high-purity charge for growth of Cd₁₋ₓ ZnₓTe crystals uk_UA
dc.title.alternative Одержання шихти високої чистоти для вирощування кристалів Cd₁₋ₓ ZnₓTe uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис