Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Garapyn, I.V. |
|
dc.contributor.author |
Hud, I.Z. |
|
dc.contributor.author |
Pavlyk, B.V. |
|
dc.date.accessioned |
2018-06-20T05:02:38Z |
|
dc.date.available |
2018-06-20T05:02:38Z |
|
dc.date.issued |
2005 |
|
dc.identifier.citation |
Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals / I.V. Garapyn, I.Z. Hud, B.V. Pavlyk // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 4. — С. 735-737. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1027-5495 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/139316 |
|
dc.description.abstract |
The defect structure of Csl-CsBr mixed crystals has been studied by electroconductivity and thermostimulated depolarization current (TSDC) methods. The formation of Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ solid solution is found to be accompanied by increase of conductivity as compared to that of pure Csl. The physical processes causing the appearаnce of TSDC maxima at 300 К and 385 К have been considered. The results obtained evidence the
increase of anion vacancy concentration and unchanged concentration of cation vacancies in Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ mixed crystals. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Дослiджено дефектну структуру змiшаних кристалiв Csl-CsBr методами електропровiдностi та струмiв термостимульованої деполяризацiї (ТСД). Встановлено, що утворення твердого розчину Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ супроводжується збiльшенням провiдностi порiвняно з провiднiстю чистого Csl. Проаналiзовано фiзичнi процеси, що спричиняють появу максимумiв ТСД при температурах 300 К та 385 К. Одержанi результати свiдчать про пiдвищення концентрацiї анiонних та незмiнну концентрацiю катiонних вакансiй в змiшаних кристалах Csl₀.₉₃Br₀.₀₇. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Дефектная структура смешанных кристаллов Csl-CsBr исследована методами электропроводности и токов термостимулированной деполяризации (ТСД). -Установлено, что возникновение твёрдого раствора Csl₀.₉₃Br₀.₀₇ сопровождается увеличением проводимости по сравнению с проводимостью чистого Csl. Проанализированы физические процессы, обусловливающие возникновение максимумов ТСД при температурах 300 К и 385 К. Полученные результаты свидетельствуют о повышении концентрации анионных и неизменной концентрации катионных вакансий в смешанных кристаллах Csl₀.₉₃Br₀.₀₇. |
uk_UA |
dc.language.iso |
en |
uk_UA |
dc.publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Functional Materials |
|
dc.title |
Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Дефектоутворення у змiшаних кристалах Csl-CsBr |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті