Photostimulated Ga diffusion in zinc sulfide

Abstract

Effect of coherent illumination (using LGI-23 and LGN-222 lasers) of ZnS powders during thermal annealing on zinc sulfide structure properties and on Ga diffusion in ZnS has been studied using photoluminescence method. The photostimulated Ga diffusion in ZnS is shown to be more efficient when the material is illuminated at λ = 632.8 nm as compared to the UV illumination. Illumination by He-Ne laser during the annealing results in appearance of a band at λmax = 470 nm in the photoluminescence spectrum as well as in an afterglow (10 s).

Проведены фотолюминесцентные исследования влияния когерентного светового облучения (использовалось излучение лазеров ЛГИ-23, ЛГН-222) порошков ZnS в процессе их термического отжига на структурные свойства сульфида цинка и диффузию Ga в ZnS. Показано, что стимулированная диффузия Ga в ZnS более успешно реализуется при облучении материала излучением с λ = 632.8 нм по сравнению с УФ излучением. Облучение He-Ne лазером в процессе отжига приводит к появлению в спектре ФЛ полосы λmax = 470 нм, а также послесвечения (10 сек).

Проведені фотолюмінєсцєнтні досліджєння впливу когерентного світлового опромінення (використовувалось випромінювання лазерів ЛГИ-23, ЛГН-222) порошків ZnS у процесі їх термічного відпалу на структурні властивості сульфіду цинку і дифузію Ga у ZnS. Показано, що стимульована дифузія Ga у ZnS більш успішно реалізується при опроміненні матеріалу випромінюванням з λ = 632.8 nm у порівнянні з УФ випромінюванням. Опромінення He-Ne лазером у процесі відпалу приводить до проявлення в спектрі ФЛ смуги λmax = 470 нм, а також післясвітіння (10 сек).