Effect of annealing mode on ZnS-Cu,CI properties

Abstract

Influence of annealing modes on spectral characteristics of photoluminescence, elec -troluminescence, and electron spin resonance of ZnS:CuCI and ZnS:CuCI₂ powders has been studied. The thermal doping processes and structure properties of ZnS have been shown to be influenced considerably by the sample heating and cooling rates during the anneal. Increasing of the above-mentioned rates results in increased concentrations of doublecharged copper and mangenese impurities in zinc sulfide. Moreover, it has been shown that the blue (λmax ~ 450 nm) emission centers are more sensitive to excitation by ac electric field (8 = 250 V, f = 5000 Hz) than to photoexcitation.

Исследовано влияние режимов отжига порошков ZnS:CuCI и ZnS:CuCl₂ на спектральные характеристики их фотолюминесценции, электролюминесценции и электронного парамагнитного резонанса. Показано, что на процессы термического легирования, а также на структурные свойства ZnS, существенное влияние оказывает характер разогрева и остывания образцов в процессе их отжига. Увеличение скорости разогрева и остывания образцов в процессе их отжига приводит к возрастанию концентрации в сульфиде цинка двухзарядных примесей меди и марганца. Кроме того, в работе показано, что центры синего свечения с λmax ~ 450 нм более чувствительны к возбуждению переменным электрическим полем (U = 250 В, f = 5000 Гц), чем к фотовозбуждению.

Досліджєно вплив режимів відпалу порошків ZnS:CuCI та ZnS:CuCI₂ на спектральні характеристики їх фотолюмінесценції, електролюмінесценції та електронного пара-магнітногго резонансу. Показано, що на процеси термічного легування, а також на структурні властивості ZnS, значний вплив має характер розігріву та охолодження зразків у процесі їх відпалу. Збільшення швидкості розігріву та охолодження зразків у процесі їх відпалу веде до збільшення концентрації у сульфіді цинку двозарядних домішок міді та марганцю. Крім того, у роботі показано, що центри синього світіння з λmax ~ 450 нм більш чутливі до збудження змінним електричним полем (U= 250 В, f = 5000 Гц), ніж до фотозбудження.