Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Multiscale modeling of the low-temperature electron irradiation of beryllium

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Bratchenko, M.I.
dc.contributor.author Dyuldya, S.V.
dc.date.accessioned 2018-06-17T17:41:48Z
dc.date.available 2018-06-17T17:41:48Z
dc.date.issued 2018
dc.identifier.citation Multiscale modeling of the low-temperature electron irradiation of beryllium / M.I. Bratchenko, S.V. Dyuldya // Вопросы атомной науки и техники. — 2018. — № 1. — С. 30-38. — Бібліогр.: 26 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1562-6016
dc.identifier.other PACS: 61.80.-x, 61.82.Bg, 61.72.Cc, 61.80.Fe, 07.05.Tp, 02.70.Ns, 02.70.Uu
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137875
dc.description.abstract Presented are the methodology and the results of the multiscale modeling of radiation defects primary production and time evolution for 2.5 MeV cryogenic (77 K) irradiation of highly deformed to ~ 10¹² cm⁻² dislocations density beryllium at the NSC KIPT electron linac ELIAS. It is shown that the application of low-temperature e⁻-irradiation of prestrained targets allows efficient suppression of vacancy-interstitial recombination due to escape of freely mi-grating self-interstitial atoms to dislocation sinks and results in abnormally high (~ 10⁻³ per atom) vacancy yield comparable with that of primarily produced Frenkel pairs at a reasonable (≤10³h)e⁻-beam exposure. uk_UA
dc.description.abstract Представлено методологію та результати багатомасштабного моделювання первинної продукції та еволюції у часі радіаційних дефектів за криогенного (77 К) опромінення сильнодеформованого до густини дислокацій ~10¹² cм⁻² берилію на електронному лінаці ELIAS ННЦ ХФТІ. Показано, що застосування низькотемпературного електронного опромінення попередньо напружених мішеней дозволяє ефективно пригнічувати рекомбінацію пар Френкеля через витік вільно мігруючих власних міжвузельних атомів до дислокаційних стоків і призводить до аномально високих (~10⁻³ на атом) концентрацій вакансій, які добре порівнянні з концентраціями первинних пар Френкеля за прийнятної (≤10³ год) тривалості електронного опромінення. uk_UA
dc.description.abstract Представлены методология и результаты многомасштабного моделирования первичной генерации и временной эволюции радиационных дефектов при криогенном (77 К) облучении сильнодеформированного до плотности дислокаций ~ 10¹² cм⁻² бериллия на электронном линаке ELIAS ННЦ ХФТИ. Показано, что применение низкотемпературного облучения предварительно напряженных мишеней позволяет эффективно подавлять рекомбинацию пар Френкеля за счет ухода свободно мигрирующих собственных межузельных атомов на дислокационные стоки и приводит к аномально высоким (~ 10⁻³ на атом) выходам вакансий, сопоставимых с концентрациями первичных пар Френкеля при разумной (≤10³ ч) длительности e⁻-облучения. uk_UA
dc.description.sponsorship The authors are very grateful to A.S. Bakai for drawing their attention to the problem, putting forward the basic idea of future experiments, and for the continuous support and critical discussion of this study. We acknowledge K.V. Kovtun and V.N. Borisenko for valuable data on the prestrained Be targets preparation and the ELIAS linac irradiation e – -beam parameters, opportunities and limitations. We thank I.I. Papirov and A.A. Nikolayenko for provision of their expertise on structural and mechanical properties of beryllium. We also always keep in memory the outstanding role of Yu.T. Petrusenko in providing cryogenic irradiations in NSC KIPT. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Вопросы атомной науки и техники
dc.subject Чистые материалы и вакуумные технологии uk_UA
dc.title Multiscale modeling of the low-temperature electron irradiation of beryllium uk_UA
dc.title.alternative Багаторівневе моделювання електронного опромінення берилію за низьких температур uk_UA
dc.title.alternative Многоуровневое моделирование электронного облучения бериллия при низких температурах uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис