Показати простий запис статті

dc.contributor.author Komar, V.K.
dc.contributor.author Nalivaiko, D.P.
dc.contributor.author Sulima, S.V.
dc.contributor.author Zagoruiko, Yu.A.
dc.contributor.author Fedorenko, O.A.
dc.contributor.author Kovalenko, N.O.
dc.contributor.author Chugai, O.N.
dc.contributor.author Terzin, I.S.
dc.contributor.author Gerasimenko, A.S.
dc.contributor.author Dubina, N.G.
dc.date.accessioned 2018-06-17T15:43:33Z
dc.date.available 2018-06-17T15:43:33Z
dc.date.issued 2009
dc.identifier.citation ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method // V.K. Komar, D.P. Nalivaiko, S.V. Sulima, Yu.A. Zagoruiko, O.A. Fedorenko, N.O. Kovalenko, O.N. Chugai, I.S. Terzin, A.S. Gerasimenko, N.G. Dubina // Functional Materials. — 2009. — Т. 16, № 2. — С. 192-196. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1027-5495
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/137732
dc.description.abstract The melt growing of ZnSe crystals doped with Cr²⁺ for tunable mid-IR (2-3 μm) lasers has been described. A good quality crystal material with high homogeneity of both composition and physical properties has been obtained. The optimum concentration of dopant has been estimated. For an active element of 3 mm in thickness, it amounts to 2.3·10¹⁸ cm⁻³. The laser emitters have been manufactured operating with efficiency up to 70 % in continuous and pulse modes. uk_UA
dc.description.abstract Описано процес розплавного вирощування кристалів ZnSe, легованих домішкою Cr²⁺, для перестроюваних лазерів середнього ІЧ діапазону (2 ... 3 мкм). Отримано якісний кристалічний матеріал з високим ступенем однорідності складу та фізичних властивостей. Проведено оцінку оптимальної концентрації активаторної домішки у кристалах ZnSe, яка для активного лазерного елемента товщиною 3 мм склала 2,3·10¹⁸ см⁻³. Виготовлено лазерні випромінювачі, що працюють із ККД до 70 % у безперервному й імпульсному режимах. uk_UA
dc.description.abstract Описан процесс расплавного выращивания кристаллов ZnSe, легированных примесью Cr²⁺, для перестраиваемых лазеров среднего ИК диапазона (2 ... 3 мкм). Получен качественный кристаллический материал с высокой степенью однородности состава и физических свойств. Проведена оценка оптимальной концентрации активаторной примеси в кристаллах ZnSe, которая для активного лазерного элемента толщиной 3 мм составила 2.3·10¹⁸ см⁻³. Изготовлены лазерные излучатели, работающие с КПД до 70 % в непрерывном и импульсном режимах. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Functional Materials
dc.subject Technology uk_UA
dc.title ZnSe:Cr²⁺ laser crystals grown by Bridgman method uk_UA
dc.title.alternative Лазерні кристали ZnSe:Cr²⁺, що вирощені методом Бриджмена uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис