Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Radiation-induced processes and defects in purified CsI crystals

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Garapyn, I.
dc.contributor.author Pavlyk, B.
dc.contributor.author Tsybulyak, B.
dc.date.accessioned 2018-06-16T13:20:14Z
dc.date.available 2018-06-16T13:20:14Z
dc.date.issued 2007
dc.identifier.citation Radiation-induced processes and defects in purified CsI crystals / I. Garapyn, B. Pavlyk, B. Tsybulyak // Functional Materials. — 2007. — Т. 14, № 3. — С. 309-312. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1027-5495
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136529
dc.description.abstract Defect formation processes under γ-ray irradiation (up to doses of 10⁴-5*10⁶ Gy) in purified Csl crystals have been studied using the electric conductivity measurements, optical absorption spectra and the thermostimulated depolarization currents. The processes of accumulation and destruction of defects have been found to run in different manners depending on the γ-irradiation dose. Starting from a dose of 10⁵ Gy, the γ-irradiation affects appreciably the defect structure of the purified cesium iodide crystals. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Functional Materials
dc.title Radiation-induced processes and defects in purified CsI crystals uk_UA
dc.title.alternative Радіаційно-індуковані процеси та дефекти в очещених кристалах CsI uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис