Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Litvinova, M.B.
dc.contributor.author Shutov, S.V.
dc.contributor.author Shtan`ko, A.D.
dc.contributor.author Kurak, V.V.
dc.date.accessioned 2018-06-14T13:27:13Z
dc.date.available 2018-06-14T13:27:13Z
dc.date.issued 2006
dc.identifier.citation Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide / M.B. Litvinova, S.V. Shutov, A.D. Shtan`ko, V.V. Kurak // Functional Materials. — 2006. — Т. 13, № 3. — С. 538-541. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1027-5495
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/135018
dc.description.abstract Influence of Cd and Se atoms on the quantum efficiency of photon emission through EL2 defects in gallium arsenide single crystals has been investigated. A comparative technique of impurity diffusion in vacuum and arsenic atmospheres has been used. The change character and extent of the photon emission quantum efficiency have been established to be defined by vacancy structure of crystal that is due most likely to formation of EL2-dopant complexes. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher НТК «Інститут монокристалів» НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Functional Materials
dc.title Radiative recombination through EL2 centers in selenium and cadmium single crystals doped gallium arsenide uk_UA
dc.title.alternative Випромінювальна рекомбінація через центри EL2 у монокристалах арсеніду галію, легованих селеном і кадмієм uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис