Антисимметричный вклад в магнитосопротивление гетероструктур в параллельном магнитном поле

Abstract

Экспериментально обнаружена анизотропия магнитосопротивления в зависимости от направления тока в случае, когда магнитное поле лежит в плоскости двумерной системы и перпендикулярно направлению тока. Этот эффект связан с совместным действием силы Лоренца, которая приводит к смещению максимума электронной плотности из центра к разным стенкам квантовой ямы при противоположных направлениях тока, и различием вкладов рассеивателей в сопротивление с разных сторон квантовой ямы. Показано, что разность между сопротивлениями при разных направлениях тока является нечетным эффектом относительно направления магнитного поля и величина эффекта растет с увеличением тока. Обнаружены закономерности поведения разности между сопротивлениями при разных направлениях тока в зависимости от напряженности магнитного поля и величины тока. Показано, что по знаку эффекта можно сделать вывод о соотношении интенсивностей рассеяния со стороны подложки и со стороны поверхности.

Експериментально виявлено анізотропію магнітоопору в залежності від напрямку струму у випадку, коли магнітне поле лежить в площині двовимірної системи і перпендикулярно напрямку струму. Цей ефект пов'язаний зі спільною дією сили Лоренца, яка призводить до зміщення максимуму електронної щільності з центру до різних стінок квантової ями при протилежних напрямках струму, і відмінністю вкладів розсіювачів в опір з різних сторін квантової ями. Показано, що різниця між опорами при різних напрямках струму є непарним ефектом щодо направлення магнітного поля і величина ефекту зростає зі збільшенням струму. Виявлено закономірності поведінки різниці між опорами при різних напрямках струму в залежності від напруженості магнітного поля та величини струму. Показано, що за знаком ефекту можна зробити висновок про співвідношення інтенсивностей розсіювання з боку підкладки та з боку поверхні.

An anisotropy of the magnetoresistance with respect to the direction of the current is observed experimentally when the magnetic field lies in the plane of a two-dimensional system and is perpendicular to the direction of the current. This effect is related to the combined action of the Lorentz force, which causes a shift in the peak of the electron density from the center to different walls of a quantum well for opposite directions of the current, and to a difference in the contributions of scatterers from different sides of the quantum well to the resistance. It is shown that the difference between the resistances for different directions of the current is an effect with odd parity with respect to the direction of the magnetic field and that the magnitude of this effect increases as the current is raised. The behavior of the differences in the resistance for different directions of the current is observed as a function of the magnetic field strength and current. It is shown that the sign of this effect provides information on the ratio of the scattering intensities from the substrate side and the surface.