Низкотемпературная магнитная вязкость в тонких пленках GaMnSb, содержащих кластеры MnSb

Abstract

Измерены временные зависимости магнитного момента m(t) тонких пленок GaMnSb, содержащих кластеры MnSb. Обнаружено, что кривые m(t) спрямляются в полулогарифмических координатах m(lnt). Угловой коэффициент прямых m(lnt) соответствует магнитной вязкости S. Установлено, что полевые зависимости магнитной вязкости S(H) и магнитного момента m(H) при низких температурах определяются логнормальным распределением энергии магнитной анизотропии кластеров MnSb.

Виміряно часові залежності магнітного моменту m(t) тонких плівок GaMnSb, що містять кластери MnSb. Виявлено, що криві m(t) спрямляються в напівлогарифмічних координатах m(lnt). Кутовий коефіцієнт прямих m(lnt) відповідає магнітної в’язкості S. Встановлено, що польові залежності магнітній в’язкості S(H) і магнітного моменту m(H) при низьких температурах визначаються логнормальним розподілом енергії магнітної анізотропії кластерів MnSb.

The time dependences of the magnetic moment m( t) of thin GaMnSb films containing MnSb clusters are measured. It is found that the m( t) curves are straight in semilogarithmic coordinates m(ln t). The slope of the m(ln t) lines correspond to the magnetic viscosity S. It is found that the field dependences of the magnetic viscosity S( H) and magnetic moment m( H) at low temperatures are determined by a log-normal distribution of the magnetic anisotropy energy of the MnSb clusters.