Об эквивалентности двух моделей вакансии в применении к электронному спектру материалов с сотовой решеткой

Abstract

На основе метода сильной связи рассмотрена задача о функции Грина для содержащего вакансию материала с сотовой структурой кристаллической решетки. Проанализированы известные и сравнительно часто используемые модели для описания единичной вакансии и аналитически продемонстрирована их эквивалентность. Показано также, что вклады в плотность квазичастичных состояний от обеих подрешеток сотовой решетки совершенно одинаковы, за исключением нулевой энергии, независимо от того, в какой из подрешеток находится вакансия.

На основі методу сильного зв’язку розглянуто задачу про функцію Гріна для матеріалу зі стільниковою структурою кристалічної гратки, який містить вакансію. Проаналізовані відомі та відносно часто використовувані моделі для опису поодинокої вакансії та аналітично продемонстрована їхня еквівалентність. Показано також, що внески до густини квазічастинкових станів від обох підграток стільникової гратки абсолютно однакові, окрім нульової енергії, незалежно від того, в якій з підграток знаходиться вакансія.

On the basis of the tight-binding method, the Green's function for a material with honeycomb crystal lattice containing a vacancy was studied. Well-known and commonly used models for description of a single vacancy were considered, and their equivalence was analytically demonstrated. It was also shown that the contributions to the density of quasiparticle states from both sublattices of the honeycomb lattice are identical, except for zero energy, irrespective of which sublattice contains the vacancy.