Показати простий запис статті

dc.contributor.author Moskalenko, S.A.
dc.contributor.author Tiginyanu, I.M.
dc.date.accessioned 2018-01-16T13:12:07Z
dc.date.available 2018-01-16T13:12:07Z
dc.date.issued 2016
dc.identifier.citation Exciton–polariton laser / S.A. Moskalenko, I.M. Tiginyanu // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 5. — С. 426-437. — Бібліогр.: 64 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 0132-6414
dc.identifier.other PACS: 71.35.–y, 71.36.+c
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129100
dc.description.abstract We present a review of the investigations realized in the last decades of the phenomenon of the Bose–Einstein condensation (BEC) in the system of two-dimensional cavity polaritons in semiconductor nanostructures. The conditions at which the excitons interacting with cavity photons form new type of quasiparticles named as polaritons are described. Since polaritons can form in a microcavity a weakly interacting Bose gas, similarly to the exciton gas in semiconductors, the microcavity exciton–polariton BEC emerged in the last decades as a new direction of the exciton BEC in solids, promising for practical applications. The high interest in BEC of exciton–polaritons in semiconductor microcavities is related to the ultra-low threshold lasing which has been demonstrat-ed, in particular, for an electrically injected polariton laser based on bulk GaN microcavity diode working at room temperature. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Физика низких температур
dc.subject К 100-летию со дня рождения К.Б. Толпыго uk_UA
dc.title Exciton–polariton laser uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис