Критические токи в тонких YBa₂Cu₃O₇₋x ВТСП пленках, облученных электронами c энеpгией 4 МэВ

dc.contributor.author	Федотов, Ю.В.
dc.contributor.author	Рябченко, С.М.
dc.contributor.author	Шахов, А.П.
dc.date.accessioned	2018-01-16T12:55:46Z
dc.date.available	2018-01-16T12:55:46Z
dc.date.issued	2000
dc.identifier.citation	Критические токи в тонких YBa₂Cu₃O₇₋x ВТСП пленках, облученных электронами c энеpгией 4 МэВ / Ю.В. Федотов, С.М. Рябченко, А.П. Шахов // Физика низких температур. — 2000. — Т. 26, № 7. — С. 638-641. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	0132-6414
dc.identifier.other	PACS: 74.72.Bk, 74.76.Bz, 74.25.Ha
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129096
dc.description.abstract	Обнаружено уменьшение плотности критического тока Jc тонкой пленки YBa₂Cu₃O₇₋x после ее облучения электронами с энеpгией 4 МэВ. Показано, что температурная зависимость Jc согласуется с представлением о гранулярной структуре пленки с межгранульными контактами типа сверхпроводник- металл-диэлектрик-сверхпроводник.	uk_UA
dc.description.abstract	A decrease in the critical current density Jc of a YBa₂Cu₃O₇₋x thin film is observed after its irradiation by 4-MeV electrons. It is shown that the temperature dependence of Jc agrees with the idea of a granular structure of the film, with intergranular contacts of the superconductor–metal–insulator–superconductor type.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Физика низких температур
dc.subject	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная	uk_UA
dc.title	Критические токи в тонких YBa₂Cu₃O₇₋x ВТСП пленках, облученных электронами c энеpгией 4 МэВ	uk_UA
dc.title.alternative	Critical currents in YBa₂Cu₃O₇₋x high-temperature superconducting thin films irradiated by 4-MeV electrons	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA