Особенности кинетики свечения ионов Pr³+ в кристалле Y₂SiO₅

Abstract

Обнаружено зависящее от температуры изменение кинетики затухания свечения в спектрах люминесценции примесных ионов Pr³⁺ в кристалле Y₂SiO₅. На основании отклонения закона затухания свечения от моноэкспоненциального и характерного фронта нарастания в кинетике свечения установлено наличие зависящего от температуры переноса энергии электронного возбуждения между двумя оптическими центрами в кристалле Y₂SiO₅.

A temperature-dependent change in the decay kinetics of the luminescence of Pr³⁺ impurity ions in the Y₂SiO₅ crystal is observed. On the basis of the deviation of the luminescence decay law from a single-exponential form and the presence of a characteristic rising front in the luminescence kinetics it is established that there is a temperature-dependent transfer of electronic excitation energy between two optical centers in the Y₂SiO₅ crystal.