Аномалии электронной теплоемкости тулиевых купратов в области псевдощелевой фазы

Abstract

У інтервалі температур 6–300 К проведено прецизійні вимірювання теплоємності тулієвого 1-2-3 купрата із змістом кисню х = 6,92 та х = 6,7. Після виділення граткових складових теплоємності досліджуваних зразків зіставлення одержаних результатів дозволило визначити вклад у електронну теплоємність, пов’язаний з утворенням псевдо- щілинної фази для зразка з х = 6,7. Температурна залежність цього вкладу має аномалію поблизу межі переходу з псевдощілинної фази у нормальну металеву фазу. Одержані експериментальні результати корелюють з теоретичними уявленнями про перебудову електронної структури при переході системи у область псевдощілинної фази.

В интервале температур 6-300 К проведены прецизионные измерения теплоемкости тулиевого 1-2-3 купрата с содержанием кислорода х = 6,92 и х = 6,7. После выделения решеточных составляющих теплоемкости исследуемых образцов сопоставление полученных результатов позволило определить вклад в электронную теплоемкость, связанный с образованием псевдощелевой фазы для образца с х = 6,7. Температурная зависимость этого вклада имеет аномалию вблизи границы перехода из псевдощелевой фазы в нормальную металлическую фазу. Полученные экспериментальные результаты коррелируют с теоретическими представлениями о перестройке электронной структуры при переходе системы в область псевдощелевой фазы.

Precision measurements of the heat capacity of thulium 1-2-3 cuprate with oxygen concentrations x=6.92 and x=6.7 are made in the temperature range 6–300 K. After the lattice components of the heat capacity of the samples are subtracted off, a comparison of the results makes it possible to determine the contribution to the heat capacity due to the formation of the pseudogap phase for the sample with x=6.7. The temperature dependence of this contribution has an anomaly near the boundary of the transition from the pseudogap phase to the normal metallic phase. The experimental results correlate with the theoretical ideas about the rearrangement of the electronic structure upon the transition of the system to the pseudogap phase region.