Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника за автором "Ворощенко, А.Т."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника за автором "Ворощенко, А.Т."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Електричні властивості структур In/p-PbTe 
    Маланич, Г.П.; Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Ворощенко, А.Т.; Кравецький, М.Ю.; Павлович, І.І. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012)
    Досліджено механізми формування бар’єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p–n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який ...
  • Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Іващенко, В.І.; Порада, О.К.; Козак, А.О.; Ткачук, А.І.; Ворощенко, А.Т. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)
    Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних ...
  • Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Ворощенко, А.Т.; Кравецький, М.Ю.; Лук’яненко, В.І.; Луцишин, І.Г. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)
    Досліджено механізми протікання струму у разі зворотних напруг зміщення в InAs p–n-переходах, виготовлених дифузією кадмію в підкладки n-типу провідності. Показано, що в інтервалі температур 162–291 К і за напруг зворотного ...
  • Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe 
    Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Ткачук, А.І.; Ворощенко, А.Т.; Кравецький, М.Ю.; Луцишин, І.Г. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)
    Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвічструктури p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTе на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTе на гетеромежі p⁺-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис