Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si

Abstract

При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами у M= α^Φ||/α^Φ⊥ у широкому інтервалі концентрацій (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, що в n-Ge (на відміну від n-Si) параметр М є малочутливим до наявності домішок у кристалах аж до концентрацій ~10¹⁵см⁻³.

При Т = 85 K на кристаллах n-Ge и n-Sі исследованы концентрационные зависимости параметра анизотропии термо-ЭДС увлечения электронов фононами M= α^Φ||/α^Φ⊥ в широком интервале концентраций (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³). Показано, что в n-Ge (в отличие от n-Sі) параметр М является малочувствительным к наличию примесей в кристаллах вплоть до концентраций ~10¹⁵см⁻³.

At Т = 85 K, the concentration dependences of the anisotropy parameter of electron-phonon drag thermal e.m.f. in a wide range of concentrations (1,9 • 10¹²≤ nе ≡ NI ≤ 4,6 • 10¹⁷см⁻³) are investigated on n-Ge and n-Si crystals. It is shown that the parameter M is insensitive in n-Ge (unlike n-Si) to the presence of impurities in the crystals up to concentrations ~10¹⁵см⁻³.