Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току

dc.contributor.author	Ащеулов, А.А.
dc.contributor.author	Годованюк, В.Н.
dc.contributor.author	Добровольский, Ю.Г.
dc.contributor.author	Рюхтин, В.В.
dc.contributor.author	Романюк, И.С.
dc.date.accessioned	2017-07-17T14:43:32Z
dc.date.available	2017-07-17T14:43:32Z
dc.date.issued	1999
dc.identifier.citation	Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току / А.А. Ащеулов, В.Н. Годованюк, Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, И.С. Романюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 1. — С. 35-38. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122685
dc.description.abstract	Предложены технические решения, обеспечивающие низкий уровень темновых токов и высокую надежность кремниевых p—i—n-фотодиодов.	uk_UA
dc.description.abstract	The engineering decision which provides low level of durk currents and high reliability of silicon p-i-n-photocells have been proposed.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Компоненты для электронной аппаратуры	uk_UA
dc.title	Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA