Проблемы интеграции структур гетероэлектроники с кремниевыми ИС

dc.contributor.author	Осинский, В.И.
dc.contributor.author	Олексенко, П.Ф.
dc.contributor.author	Палагин, А.В.
dc.contributor.author	Зубарев, В.В.
dc.contributor.author	Луговский, В.В.
dc.contributor.author	Бондаренко, В.М.
dc.contributor.author	Николаенко, Ю.Е.
dc.contributor.author	Вербицкий, В.Г.
dc.contributor.author	Воронько, А.А.
dc.contributor.author	Бобженко, С.В.
dc.contributor.author	Мержвинский, А.А.
dc.date.accessioned	2017-07-17T14:36:30Z
dc.date.available	2017-07-17T14:36:30Z
dc.date.issued	1999
dc.identifier.citation	Проблемы интеграции структур гетероэлектроники с кремниевыми ИС / В.И. Осинский, П.Ф. Олексенко, А.В. Палагин, В.В. Зубарев, В.В. Луговский, В.М. Бондаренко, Ю.Е. Николаенко, В.Г. Вербицкий, А.А. Воронько, С.В. Бобженко, А.А. Мержвинский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 1. — С. 3-17. — Бібліогр.: 71 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122680
dc.description.abstract	Представлены результаты многолетних исследований авторов по применению газофазной, молекулярно-лучевой и комбинированной эпитаксии из газового источника.	uk_UA
dc.description.abstract	The results of the authors long-standing researchs by the application of gas-phase, molecular-beam and mixed epitaxy from gas source.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Техническая политика	uk_UA
dc.title	Проблемы интеграции структур гетероэлектроники с кремниевыми ИС	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA