Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Журнал физики и инженерии поверхности
→
Журнал физики и инженерии поверхности, 2017, том 2
→
Журнал физики и инженерии поверхности, 2017, № 1
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Жураев, Н.
dc.contributor.author	Халилов, М.
dc.contributor.author	Отажонов, С.
dc.contributor.author	Алимов, Н.
dc.date.accessioned	2017-07-15T14:32:14Z
dc.date.available	2017-07-15T14:32:14Z
dc.date.issued	2017
dc.identifier.citation	Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями / Н. Жураев, М. Халилов, С. Отажонов, Н. Алимов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 29-32. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2519-2485
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122606
dc.description.abstract	Изучено фоточувствительность и механизм протекания тока в низкоразмерных гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями. Обнаружена пикосекундная фотопроводимость, что свидетельствует о наличии большой концентрации поверхностных рекомбинационных центров в пленках CdTe.	uk_UA
dc.description.abstract	Вивчено фоточувствительность і механізм протікання струму в низьковимірних гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si з глибокими домішковими рівнями. Виявлена пікосекундна фотопровідність, що свідчить про наявність великої концентрації поверхневих рекомбінаційних центрів в плівках CdTe.	uk_UA
dc.description.abstract	The photosensitivity and the current flow mechanism in low-dimensional p-CdTe-SiO₂-Si heterostructures with deep impurity levels are studied. A picosecond photoconductivity was detected, which indicates the presence of a large concentration of surface recombination centers in CdTe films.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Журнал физики и инженерии поверхности
dc.title	Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями	uk_UA
dc.title.alternative	Фоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si з глибокими домішковими рівнями	uk_UA
dc.title.alternative	Photosensitivity and current flow mechanism in p-CdTe-SiO₂-Si heterostructures with deep impurity levels	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621. 315. 593