Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Vlaskina, S.I.
dc.contributor.author Mishinova, G.N.
dc.contributor.author Vlaskin, V.I.
dc.contributor.author Rodionov, V.E.
dc.contributor.author Svechnikov, G.S.
dc.date.accessioned 2017-06-14T15:19:29Z
dc.date.available 2017-06-14T15:19:29Z
dc.date.issued 2016
dc.identifier.citation Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations / S.I. Vlaskina, G.N. Mishinova, V.I. Vlaskin, V.E. Rodionov, G.S. Svechnikov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 1. — С. 62-66. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other DOI: 10.15407/spqeo19.01.062
dc.identifier.other PACS 64.70.K-, 78.60.Lc, 81.30.-t
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121526
dc.description.abstract Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and thin films with in-grown defects during phase transformations have been studied. On the deep-level(DL)-spectra, as an example, their characteristics and behavior were investigated. It has been shown that all DL spectra have the same logic of construction and demonstrate identical behavior of the thin structure elements. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Peculiarities of photoluminescence spectra behavior in SiC crystals and films during phase transformations uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис