Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Sukach, A.V.
dc.contributor.author Tetyorkin, V.V.
dc.contributor.author Tkachuk, A.I.
dc.date.accessioned 2017-06-13T16:54:06Z
dc.date.available 2017-06-13T16:54:06Z
dc.date.issued 2015
dc.identifier.citation Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions / A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, A.I. Tkachuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 3. — С. 267-271. — Бібліогр.: 28 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other DOI: 10.15407/spqeo18.03.267
dc.identifier.other PACS 73.40.Kp, 73.40.Gk
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121213
dc.description.abstract Carrier transport mechanisms have been investigated in linearly graded InSb p-n junctions prepared using thermal diffusion of Cd into single crystal substrates of ntype conductivity. The investigations were focused on the reverse current as a function of bias voltage and temperature. The obtained experimental data show that local inhomogeneities in the depletion region are responsible for the excess tunneling current observed in the reverse biased junctions. The inhomogeneities have been attributed to dislocations, precipitates or other extended defects. A phenomenological model is proposed to explain experimental data. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис