Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Polarization properties of the luminescence from silicon nanocrystals

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Diener, J.
dc.contributor.author Kovalev, D.
dc.contributor.author Polisski, G.
dc.contributor.author Koch, F.
dc.date.accessioned 2017-06-13T16:48:28Z
dc.date.available 2017-06-13T16:48:28Z
dc.date.issued 2000
dc.identifier.citation Polarization properties of the luminescence from silicon nanocrystals / J. Diener, D. Kovalev, G. Polisski, F. Koch // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 4. — С. 445-448. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS: 61.82.R, 78.60, 78.66.J
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121201
dc.description.abstract Polarization dependent photoluminescence (PL), time-resolved PL and PL excitation experiments are performed in order to clarify the origin of the linear polarization of the PL of porous silicon excited by linear polarized light. It is shown that this effect, when PL is excited significantly above the detection energy, is not related to a coherent exciton alignment or selective optical excitation of those nanocrystals whose transition dipole moments are oriented parallel to the polarization vector of the exciting light. The experimental results are interpreted in the framework of a dielectric model assuming aspheric nanocrystals. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Polarization properties of the luminescence from silicon nanocrystals uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис