Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000, том 3
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000, № 3
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Prokopenko, I.V.
dc.contributor.author	Kislovskii, E.N.
dc.contributor.author	Olikhovskii, S.I.
dc.contributor.author	Tkach, V.M.
dc.contributor.author	Lytvyn, P.M.
dc.contributor.author	Vladimirova, T.P.
dc.date.accessioned	2017-06-13T16:25:38Z
dc.date.available	2017-06-13T16:25:38Z
dc.date.issued	2000
dc.identifier.citation	Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals / I.V. Prokopenko, E.N. Kislovskii, S.I. Olikhovskii, V.M. Tkach, P.M. Lytvyn, T.P. Vladimirova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 275-281. — Бібліогр.: 28 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1560-8034
dc.identifier.other	PACS 61.10.Eq; 61.71.Ff, 61.72.Ji, 61.72.Nn, 61.72.Qq
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121174
dc.description.abstract	We used X-ray diffraction method of total rocking curves and nondestructive direct observation techniques (atomic force and scanning electron microscopies) to quantitatively determine the defect characteristics (radii and concentrations) for the main types of defects in Czochralski-grown silicon single crystals annealed at 750 °С.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title	Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA