Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Bozhko, V.V. |
|
dc.contributor.author |
Halyan, V.V. |
|
dc.contributor.author |
Parasyuk, O.V. |
|
dc.date.accessioned |
2017-06-13T16:02:09Z |
|
dc.date.available |
2017-06-13T16:02:09Z |
|
dc.date.issued |
2002 |
|
dc.identifier.citation |
Urbach’s edge of glassy HgSe-GeSe₂ alloys: static disorder and temperature dependence of optical absorption / V.V. Bozhko, V.V. Halyan, O.V. Parasyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 2. — С. 163-169. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1560-8034 |
|
dc.identifier.other |
PACS: 78.20.Bh, 78.40 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121162 |
|
dc.description.abstract |
Results of investigations of spectral characteristics in the fundamental absorption range for the glass-like alloys HgSe - GeSe₂ are represented. To explain the phenomenon of anomaly growth of the static disorder, the model of deforming tensions is discussed. The hypothesis concerning a sharp change of physical-and-chemical properties for the transition over the double eutectic point on the stable phase diagram of the HgSe - GeSe₂ system with a changing glass-creating matrix is suggested. |
uk_UA |
dc.language.iso |
en |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|
dc.title |
Urbach’s edge of glassy HgSe-GeSe₂ alloys: static disorder and temperature dependence of optical absorption |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті