Spectral parameters of electron in multi-shell open semiconductor nanotube

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2015, том 18
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2015, № 1
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Makhanets, O.M.
dc.contributor.author	Kuchak, А.І.
dc.contributor.author	Gutsul, V.I.
dc.contributor.author	Voitsekhivska, O.M.
dc.date.accessioned	2017-06-13T15:51:50Z
dc.date.available	2017-06-13T15:51:50Z
dc.date.issued	2015
dc.identifier.citation	Spectral parameters of electron in multi-shell open semiconductor nanotube / O.M. Makhanets, А.І. Kuchak, V.I. Gutsul, O.M. Voitsekhivska // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 1. — С. 57-62. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1560-8034
dc.identifier.other	DOI: 10.15407/spqeo18.01.057
dc.identifier.other	PACS 73.21-Hb, 73.21.-b, 78.67.Ch
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121157
dc.description.abstract	The spectral parameters (resonance energies and resonance widths) of electron in multi-shell open cylindrical semiconductor nanotube are theoretically investigated within the effective mass and rectangular potentials model by using the S-matrix approach. These parameters as functions of the nanotube thickness and axial quasimomentum are analyzed for the nanostructure composed of GaAs and AlxGa₁₋xAs semiconductors	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title	Spectral parameters of electron in multi-shell open semiconductor nanotube	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA