Показати простий запис статті

dc.contributor.author Sapaev, B.
dc.contributor.author Saidov, A.S.
dc.contributor.author Bacherikov, Yu.Yu.
dc.contributor.author Konakova, R.V.
dc.contributor.author Okhrimenko, O.B.
dc.contributor.author Dmitruk, I.N.
dc.contributor.author Galak, N.P.
dc.contributor.author Sapaev, I.B.
dc.date.accessioned 2017-06-13T11:19:24Z
dc.date.available 2017-06-13T11:19:24Z
dc.date.issued 2005
dc.identifier.citation Spectroscopy of the solid solutions (Si₂)₁₋x(ZnS)x / B. Sapaev, A.S. Saidov, I.B. Sapaev, Yu.Yu. Bacherikov, R.V. Konakova, O.B. Okhrimenko, I.N. Dmitruk, N.P. Galak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 3. — С. 16-18. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS:78.70.Fy, 78.70.Gg
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120965
dc.description.abstract Presented are the investigation of (Si₂)₁₋x(ZnS)x solid solutions. Morphological, electrical, and optical properties of the solutions are investigated. Chemical components of the solid solutions are homogeneously distributed along the thickness of the layer. The photoluminescence spectra of (Si₂)₁₋x(ZnS)x consist of a wide band with the peak within the range of 505 to 520 nm. The Raman scattering shows that approximately 19 % of silicon located directly under the epitaxial film is in amorphous phase. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Spectroscopy of the solid solutions (Si₂)₁₋x(ZnS)x uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис