Исследование подвижности малых кластеров меди на буферном слое Xe при температурах 30–70 К

Abstract

Методом компьютерного моделирования исследован процесс миграции малых кластеров меди по поверхности (111) твердого ксенона. Получены коэффициенты диффузии стабильных кластеров для температур 30–70 К. Установлено, что кластеры меди из четырех, шести и семи атомов за время менее 3 нс внедряются в подложку, вытесняя атом Xe. Полученные данные позволяют по-новому интерпретировать результаты проведенных ранее экспериментов.

Методом комп’ютерного моделювання досліджено процес міграції малих кластерів міді по поверхні (111) твердого ксенону. Отримано коефіцієнти дифузії стабільних кластерів для температур 30–70 К. Встановлено, що кластери міді із чотирьох, шести й семи атомів за час менш 3 нс впроваджуються в підкладку, витісняючи атом Xe. Отримані дані дозволяють по-новому інтерпретувати результати проведених раніше експериментів.

The process of small copper cluster migration on the solid xenon surface (111) is investigated by computer simulation. The coefficients of stable cluster diffusion are determined for temperatures from 30 to 70 K. It has been established that during the time less than 3 ns the copper clusters of 4, 6 and 7 atoms penetrate into the substrate and substitute the Xe atom. The data obtained enable a new interpretation of previous results.