Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Алисултанов, З.З. |
|
dc.contributor.author |
Мирзегасанова, Н.А. |
|
dc.date.accessioned |
2017-06-07T05:46:25Z |
|
dc.date.available |
2017-06-07T05:46:25Z |
|
dc.date.issued |
2014 |
|
dc.identifier.citation |
Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке / З.З. Алисултанов, Н.А. Мирзегасанова // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 5. — С. 590-594. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
0132-6414 |
|
dc.identifier.other |
PACS 68.43.–h, 72.80.Vp, 65.80.Ck |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119499 |
|
dc.description.abstract |
В рамках модели Давыдова рассмотрен термоэлектрический эффект в эпитаксиальном графене, сформированном на поверхности размерно-квантованной металлической пленки. Используется подход, основанный на формуле Кубо для проводимости и дифференциальной термоэдс. Показано, что вблизи краев энергетических уровней, вызванных размерным квантованием, термоэдс эпитаксиального графена возрастает до гигантских значений 200 мкВ·К⁻¹, что почти в семь раз больше термоэдс изолированного графена (около 30 мкВ·К⁻¹). |
uk_UA |
dc.description.abstract |
У рамках моделі Давидова розглянуто термоелектричний ефект в епітаксійному графені, який сформован на поверхні розмірно-квантованої металічної плівки. Використовано підхід, побудований на формулі Кубо для провідності та диференціальної термоерс. Показано, що поблизу енергетичних рівнів, викликаних розмірним квантуванням, термоерс епітаксійного графена зростає до велетенських значень 200 мкВ⋅К⁻¹, що майже у сім разів більше ніж термоерс ізольованого графена (близько 30 мкВ⋅К⁻¹). |
uk_UA |
dc.description.abstract |
The thermoelectric effect in epitaxial graphene formed on the surface of a size-quantized a metallic film is considered in the context of the Davydov model. The approach based on the Kubо formula for conductivity and thermoelectric coefficient is used. It is shown that near the energy levels of size quantization, the thermopower of epitaxial графене increases to a giant value of 200 μV·K⁻¹, which is almost seven times higher than the thermoelectric power of isolated graphene (about 30 μV·K⁻¹). |
uk_UA |
dc.description.sponsorship |
А.З.З. выражает благодарность С.Г. Шарапову за полезные ссылки. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 13-02-90746 мол_рф_нр. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Физика низких температур |
|
dc.subject |
Наноструктуры при низких температурах |
uk_UA |
dc.title |
Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Anormalous growth of thermopower in epitaxial graphene on a size-quantized film |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті