Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Abouelaoualim, D. |
|
dc.contributor.author |
Assouag, M. |
|
dc.contributor.author |
Elmidaoui, A. |
|
dc.date.accessioned |
2017-05-31T19:31:20Z |
|
dc.date.available |
2017-05-31T19:31:20Z |
|
dc.date.issued |
2008 |
|
dc.identifier.citation |
Numerical study of electrical characteristics of conjugated polymer light-emitting diodes / D. Abouelaoualim, M. Assouag, A. Elmidaoui // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 2. — С. 151-153. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1560-8034 |
|
dc.identifier.other |
PACS 71.20.Rv, 85.60.Jb |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118859 |
|
dc.description.abstract |
Conjugated polymers now provide a class of processible, film-forming
semiconductors and metals. In this work, the electronic properties of polymer lightemitting
diodes devices are numerically studied. Our results show how an insulating
buffer layer with suitable thickness decreases the barrier height at the cathode and
therefore increases the electron injection. We also discuss the effects from persistent
charged traps. |
uk_UA |
dc.language.iso |
en |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|
dc.title |
Numerical study of electrical characteristics of conjugated polymer light-emitting diodes |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті