Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Numerical study of electrical characteristics of conjugated polymer light-emitting diodes

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Abouelaoualim, D.
dc.contributor.author Assouag, M.
dc.contributor.author Elmidaoui, A.
dc.date.accessioned 2017-05-31T19:31:20Z
dc.date.available 2017-05-31T19:31:20Z
dc.date.issued 2008
dc.identifier.citation Numerical study of electrical characteristics of conjugated polymer light-emitting diodes / D. Abouelaoualim, M. Assouag, A. Elmidaoui // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 2. — С. 151-153. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 71.20.Rv, 85.60.Jb
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118859
dc.description.abstract Conjugated polymers now provide a class of processible, film-forming semiconductors and metals. In this work, the electronic properties of polymer lightemitting diodes devices are numerically studied. Our results show how an insulating buffer layer with suitable thickness decreases the barrier height at the cathode and therefore increases the electron injection. We also discuss the effects from persistent charged traps. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Numerical study of electrical characteristics of conjugated polymer light-emitting diodes uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис