Показати простий запис статті

dc.contributor.author Salo, V.I.
dc.contributor.author Tkachenko, V.F.
dc.contributor.author Puzikov, V.M.
dc.date.accessioned 2017-05-31T19:26:16Z
dc.date.available 2017-05-31T19:26:16Z
dc.date.issued 2008
dc.identifier.citation Research of Structural Quality of Big-Size KDP Crystals / V. I. Salo, V. F. Tkachenko, V.M. Puzikov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 2. — С. 132-135. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 61.10.-i
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118853
dc.description.abstract The faulted structure formation at a rapid growing of big-size KDP crystals has been analyzed. A transitional zone with high degree of lattice faultness has been revealed between the seed and the pure zone of the grown crystal by X-ray diffraction methods with high resolution. It has been determined that, regardless of the seed form, the transitional layer in grown crystals reaches the value of~12 mm. The nonmonotone variation of the crystal lattice parameter (∆d/d) within ±2.5·10⁻⁵ and the halfwidth of a diffraction reflection curve (β = 5.5÷8 arcs for direction [103] and β = 7÷9 arcs for direction [100]) and the increase of the integral power of reflection of the X-ray beam IR by 1.5 times are observed in the transitional lay uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Research of Structural Quality of Big-Size KDP Crystals uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис