Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое

dc.contributor.author	Фальковский, Л.А.
dc.date.accessioned	2017-05-31T07:41:07Z
dc.date.available	2017-05-31T07:41:07Z
dc.date.issued	2011
dc.identifier.citation	Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое / Л.А. Фальковский // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 9-10. — С. 1022–1026. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	0132-6414
dc.identifier.other	PACS: 73.20.At, 73.21.Ac, 73.43.–f, 81.05.U–
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118780
dc.description.abstract	Рассмотрены осцилляции запрещенной щели, химического потенциала и концентрации носителей на графеновом бислое в квазиклассическом магнитном и поперечном электрическом поле, создаваемом напряжением на затворе.	uk_UA
dc.description.abstract	Розглянуто осциляції забороненої щілини, хімічного потенціалу й концентрації носіїв на графеновому бішарі у квазікласичному магнітному й поперечному електричному полі, яке створюється напругою на затворі.	uk_UA
dc.description.abstract	The oscillations of forbidden gap, chemical potential and carrier concentration on a graphene bilayer at a quasi-classical magnetic field and a transverse electrical one produced by gate voltage are considered.	uk_UA
dc.description.sponsorship	Автор благодарен А. Озерину за участие в вычислениях. Работа поддержана грантом РФФИ № 10-02-00193-a и программой SCOPES (grant IZ73Z0_128026 of the Swiss NSF).	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Физика низких температур
dc.subject	Низкоразмерные структуры	uk_UA
dc.title	Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое	uk_UA
dc.title.alternative	Quantum oscillations in a gated graphene bilayer	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA