Показати простий запис статті

dc.contributor.author Aleskerov, F.K.
dc.contributor.author Kahramanov, S.K.
dc.contributor.author Asadov, М.М.
dc.contributor.author Kahramanov, K.S.
dc.date.accessioned 2017-05-30T17:15:00Z
dc.date.available 2017-05-30T17:15:00Z
dc.date.issued 2009
dc.identifier.citation Bi₂Te₃-хSex 〈Ag〉 (х = 0.04) nanocrystal formation / F.K. Aleskerov, S.K. Kahramanov, М.М. Asadov, K.S. Kahramanov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 1. — С. 72-76. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 81.05.Hd, 81.05.Ys, 81.10.Dn
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118605
dc.description.abstract The results of experimental researches dealing with formation of nanometricsize doped (Ag) layers on the surface (0001) between Te⁽¹⁾–Te⁽¹⁾ telluride quintet layers in Bi₂Te₃-хSex 〈Ag〉 (х = 0.04) crystals under directed crystallization has been submitted. During the crystal growth as result of impurity diffusion along a surface (0001), accumulation, redistribution and nanocrystal formation between Te⁽¹⁾–Te⁽¹⁾ layers occur. By the method of atomic-force microscopy, the Bi₂Te₃-хSex 〈Ag〉 crystal images with nanolayers were obtained. Being based on experimental data, the fractal dimension of nanocrystalline layers was estimated. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Bi₂Te₃-хSex 〈Ag〉 (х = 0.04) nanocrystal formation uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис