Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Spin polarization in semimagnetic semiconductor two barrier spin filters

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Lev, S.B.
dc.contributor.author Sugakov, V.I.
dc.contributor.author Vertsimakha, G.V.
dc.date.accessioned 2017-05-29T19:18:42Z
dc.date.available 2017-05-29T19:18:42Z
dc.date.issued 2007
dc.identifier.citation Spin polarization in semimagnetic semiconductor two barrier spin filters / S. B. Lev, V. I. Sugakov, G. V. Vertsimakha // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 4. — С. 42-46. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 72.25.-b, 73.40.Ly, 75.+a
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118332
dc.description.abstract The spin-dependent tunneling of electrons through the CdMgTe-based twobarrier resonant tunneling system with a semimagnetic CdMnTe well is studied. The level splitting in the semimagnetic well under an external magnetic field, caused by giant Zeeman splitting, allows one to achieve a high level of spin polarization of the current flowing through the spin filter. The current polarization degree depending on different parameters of the system such as the carrier density, concentration of magnetic ions, temperature, and the strength of the external magnetic and electric fields is analyzed. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Spin polarization in semimagnetic semiconductor two barrier spin filters uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис