Показати простий запис статті

dc.contributor.author Kryuchenko, Yu.V.
dc.contributor.author Sachenko, A.V.
dc.contributor.author Bobyl, A.V.
dc.contributor.author Kostylyov, V.P.
dc.contributor.author Romanets, P.N.
dc.contributor.author Sokolovskyi, I.O.
dc.contributor.author Shkrebti, A.I.
dc.contributor.author Terukov, E.I.
dc.date.accessioned 2017-05-29T14:56:06Z
dc.date.available 2017-05-29T14:56:06Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier.citation Efficiency a-Si:H solar cell. Detailed theory / Yu.V. Kryuchenko, A.V. Sachenko, A.V. Bobyl, V.P. Kostylyov, P.N. Romanets, I.O. Sokolovskyi, A.I. Shkrebtii, E.I. Terukov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 2. — С. 91-116. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 72.20.Jv, 73.40.Cg, 84.60.Jt, 85.30.De
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118286
dc.description.abstract We develop a detailed formalism to photoconversion efficiency η of hydrogenated amorphous silicon ( a-Si:H ) based solar cells with a contact grid. This efficient three-dimensional model allows firstly optimization of the p i n sandwich in terms of carrier mobilities, thickness of the layers, doping levels and others. Secondly, geometry of the grid fingers that conduct the photocurrent to the bus bars and ITO/SiO₂ layers has been optimized, and the effect of non-zero sun beam incidence angles has been included as well. The model allows optimization of the amorphous Si based solar cells in a wide range of key parameters. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Efficiency a-Si:H solar cell. Detailed theory uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис