Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Phase diagrams of Si₁-xGex solid solution: a theoretical approach

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Jivani, A.R.
dc.contributor.author Jani, A.R.
dc.date.accessioned 2017-05-29T14:31:48Z
dc.date.available 2017-05-29T14:31:48Z
dc.date.issued 2012
dc.identifier.citation Phase diagrams of Si₁-xGex solid solution: a theoretical approach / A.R. Jivani, A.R. Jani // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 1. — С. 17-20. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 64.70.kg, 64.75.Nx, 71.15.Nc, Dx
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118268
dc.description.abstract In this work, we have used the pseudo-alloy atom model and higher-order perturbation theory based on pseudopotential approach to investigate phase diagram at different temperatures for Si₁–xGex solid solution system where x is the arbitrary (atomic) concentration of the second constituting element. We have also investigated the phase diagram near the melting temperature as well as at low temperatures and compared with the available experimental results. Our calculated phase diagram near the melting point agrees well with the experimental data. uk_UA
dc.description.sponsorship A.R. Jivani thanks University Grants Commission, New Delhi, India, for financial support (Grant No. 47- 625/08(WRO)) to carry out this research work. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Phase diagrams of Si₁-xGex solid solution: a theoretical approach uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис