Показати простий запис статті

dc.contributor.author Bilevych, Ye.O.
dc.contributor.author Boka, A.I.
dc.contributor.author Darchuk, L.O.
dc.contributor.author Gumenjuk-Sichevska, J.V.
dc.contributor.author Sizov, F.F.
dc.contributor.author Boelling, O.
dc.contributor.author Sulkio-Cleff, B.
dc.date.accessioned 2017-05-28T19:00:33Z
dc.date.available 2017-05-28T19:00:33Z
dc.date.issued 2004
dc.identifier.citation Properties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxy / Ye.O. Bilevych, A.I. Boka, L.O. Darchuk, J.V. Gumenjuk-Sichevska, F.F. Sizov, O. Boelling, B. Sulkio-Cleff // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 2. — С. 129-132. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS: 68.55Ac; 81.15.-z; 73.61.Ga; 78.66.Hf
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118156
dc.description.abstract CdTe thin films were grown on different substrates: BaF₂ (111), polished Si (100), SiO₂, bulk CdTe (110) and HgxCd₁₋xTe layers by hot wall epitaxy (HWE). Chosen temperature parame-ters and technological process of thin film fabrication provided the growth rate of about 0.03 mm/min. The current-voltage characteristics and transmission spectra were measured. X-ray diffrac-tion data (XRD) measurements were carried out as well. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Properties of CdTe thin films prepared by hot wall epitaxy uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис