Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь

dc.contributor.author	Вальков, В.В.
dc.contributor.author	Аксенов, С.В.
dc.contributor.author	Уланов, Е.А.
dc.date.accessioned	2017-05-28T16:54:41Z
dc.date.available	2017-05-28T16:54:41Z
dc.date.issued	2013
dc.identifier.citation	Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь / В.В. Вальков, С.В. Аксенов, Е.А. Уланов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 48–52. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	0132-6414
dc.identifier.other	PACS: 75.76.+j, 72.25.–b, 85.75.–d
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118095
dc.description.abstract	В результате расчета транспортных характеристик одиночной магнитной примеси показано, что присутствие разных эффективных каналов для прохождения электрона приводит к реализации эффекта Фано. Отмечено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет управлять проводящими свойствами, обусловленными конфигурационным взаимодействием состояний в системе.	uk_UA
dc.description.abstract	В результаті розрахунку транспортних характеристик поодинокої магнітної домішки показано, що присутність різних ефективних каналів для проходження електрона призводить до реалізації ефекту Фано. Відмічено, що додаток зовнішнього магнітного поля і електричного поля затвора дозволяє управляти властивостями, що проводять, обумовленими конфігураційною взаємодією станів в системі.	uk_UA
dc.description.abstract	The calculation of single magnetic impurity’s transport characteristics has showed that presence of different effective channels for electron transmission results the Fano effect. It was noticed the external magnetic field and gate voltage allow to control of conducting properties which are specified by the configuration interaction between states of the system.	uk_UA
dc.description.sponsorship	Работа выполнена при поддержке Программы Президиума РАН «Квантовые мезоскопические и неупорядоченные структуры», Федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009–2013 годы», Российского фонда фундаментальных исследований (грант р_сибирь #11- 02-98007). Один из авторов (С.В. Аксенов) выражает благодарность за поддержку исследований, оказываемую в рамках гранта Президента РФ МК-1300.2011.2.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Физика низких температур
dc.subject	XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников	uk_UA
dc.title	Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь	uk_UA
dc.title.alternative	The Fano effect under tunneling of a spin-polarized electron through a single magnetic impurity	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA